| Číslo dielu : | SI5515CDC-T1-GE3 |
|---|---|
| Výrobca / Značka : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| popis : | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| Stav RoHs : | Bezolovnatý / V súlade RoHS |
| Dostupné množstvo | 102518 pcs |
| listoch | SI5515CDC-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Balík dodávateľov zariadení | 1206-8 ChipFET™ |
| séria | TrenchFET® |
| Rds Zap (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Výkon - Max | 3.1W |
| obal | Tape & Reel (TR) |
| Balík / puzdro | 8-SMD, Flat Lead |
| Ostatné mená | SI5515CDC-T1-GE3TR SI5515CDCT1GE3 |
| Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav voľného vodiča / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
| Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| Typ FET | N and P-Channel |
| Funkcia FET | Logic Level Gate |
| Vypustite na zdrojové napätie (Vdss) | 20V |
| Detailný popis | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C | 4A |
| Číslo základnej časti | SI5515 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
