| Číslo dielu : | RN2910FE,LF(CB |
|---|---|
| Výrobca / Značka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| popis : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stav RoHs : | Bezolovnatý / V súlade RoHS |
| Dostupné množstvo | 1459077 pcs |
| listoch | RN2910FE,LF(CB.pdf |
| Napätie - zrýchlenie zberača (Max) | 50V |
| Vce sýtosť (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Typ tranzistorov | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Balík dodávateľov zariadení | ES6 |
| séria | - |
| Rezistor - základňa vysielača (R2) | - |
| Rezistor - základňa (R1) | 4.7 kOhms |
| Výkon - Max | 100mW |
| obal | Tape & Reel (TR) |
| Balík / puzdro | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatné mená | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobca štandardná doba výroby | 16 Weeks |
| Stav voľného vodiča / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Prechod | 200MHz |
| Detailný popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Zvýšenie prúdu DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Prúd - obmedzenie kolektora (Max) | 100nA (ICBO) |
| Prúd - zberač (Ic) (Max) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
