| Číslo dielu : | RN1969FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Výrobca / Značka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| popis : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stav RoHs : | Bezolovnatý / V súlade RoHS |
| Dostupné množstvo | 4255 pcs |
| listoch | RN1969FE(TE85L,F).pdf |
| Napätie - zrýchlenie zberača (Max) | 50V |
| Vce sýtosť (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Typ tranzistorov | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Balík dodávateľov zariadení | ES6 |
| séria | - |
| Rezistor - základňa vysielača (R2) | 22 kOhms |
| Rezistor - základňa (R1) | 47 kOhms |
| Výkon - Max | 100mW |
| obal | Original-Reel® |
| Balík / puzdro | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatné mená | RN1969FE(TE85LF)DKR |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav voľného vodiča / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Prechod | 250MHz |
| Detailný popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Zvýšenie prúdu DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Prúd - obmedzenie kolektora (Max) | 100nA (ICBO) |
| Prúd - zberač (Ic) (Max) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
