| Číslo dielu : | PHKD6N02LT,518 |
|---|---|
| Výrobca / Značka : | Nexperia |
| popis : | MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1 |
| Stav RoHs : | Bezolovnatý / V súlade RoHS |
| Dostupné množstvo | 4451 pcs |
| listoch | PHKD6N02LT,518.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Balík dodávateľov zariadení | 8-SO |
| séria | TrenchMOS™ |
| Rds Zap (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 3A, 5V |
| Výkon - Max | 4.17W |
| obal | Tape & Reel (TR) |
| Balík / puzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatné mená | 934056831518 PHKD6N02LT /T3 PHKD6N02LT /T3-ND |
| Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL) | 2 (1 Year) |
| Stav voľného vodiča / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 10V |
| Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funkcia FET | Logic Level Gate |
| Vypustite na zdrojové napätie (Vdss) | 20V |
| Detailný popis | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO |
| Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C | 10.9A |
