| Číslo dielu : | NTQD6866R2G |
|---|---|
| Výrobca / Značka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| popis : | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| Stav RoHs : | Bezolovnatý / V súlade RoHS |
| Dostupné množstvo | 4105 pcs |
| listoch | NTQD6866R2G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Balík dodávateľov zariadení | 8-TSSOP |
| séria | - |
| Rds Zap (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| Výkon - Max | 940mW |
| obal | Tape & Reel (TR) |
| Balík / puzdro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Ostatné mená | NTQD6866R2GOS |
| Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stav voľného vodiča / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 16V |
| Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funkcia FET | Logic Level Gate |
| Vypustite na zdrojové napätie (Vdss) | 20V |
| Detailný popis | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.7A 940mW Surface Mount 8-TSSOP |
| Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C | 4.7A |
