| Číslo dielu : | FDS8926A |
|---|---|
| Výrobca / Značka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| popis : | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO |
| Stav RoHs : | Bezolovnatý / V súlade RoHS |
| Dostupné množstvo | 4801 pcs |
| listoch | FDS8926A.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Balík dodávateľov zariadení | 8-SO |
| séria | - |
| Rds Zap (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Výkon - Max | 900mW |
| obal | Tape & Reel (TR) |
| Balík / puzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatné mená | FDS8926A-ND FDS8926ATR |
| Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav voľného vodiča / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funkcia FET | Logic Level Gate |
| Vypustite na zdrojové napätie (Vdss) | 30V |
| Detailný popis | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO |
| Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C | 5.5A |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
