| Číslo dielu : | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Výrobca / Značka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| popis : | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| Stav RoHs : | Bezolovnatý / V súlade RoHS |
| Dostupné množstvo | 301721 pcs |
| listoch | 2SK3666-3-TB-E.pdf |
| Napätie - Vypnutie (VGS vypnuté) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Balík dodávateľov zariadení | 3-CP |
| séria | - |
| Odolnosť - RDS (zapnuté) | 200 Ohms |
| Výkon - Max | 200mW |
| obal | Cut Tape (CT) |
| Balík / puzdro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatné mená | 869-1107-1 |
| Prevádzková teplota | 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobca štandardná doba výroby | 4 Weeks |
| Stav voľného vodiča / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| Vypustite na zdrojové napätie (Vdss) | 30V |
| Detailný popis | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| Aktuálny odtok (Id) - Max | 10mA |
| Prúd - Odčerpanie (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Číslo základnej časti | 2SK3666 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
